英飞凌推出新式低饱满压降VCE(sat) IGBT

  2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/ OTCQX：IFNNY）近来推出新式低饱满压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专关于 50Hz 至20kHz 的低开关频率规模进行了优化。这个规模的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列根据 TRENCHSTOP™5 薄晶片技能，使原本就很低的导通损耗由于载流子结构的优化得到了进一步下降。

  凭仗 25C时典型饱满压降 (VCE(sat)) 为1.05 V的傲人成果，此类新式 IGBT成功地将功率水平提高到一个新的高度 —— 用 L5 系列替代它的长辈 TRENCHSTOP IGBT，使功率在NPC1拓扑中提高高达 0.1％，在 NPC 2 拓扑中提高 0.3％。再加上VCE(sat)的温度系数为正，坚持高功率的一起还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的职业标杆。铸造新 L5系列魂灵的 TRENCHSTOP5技能，不光能供给无与伦比的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述，在低开关频率运用场合运用英飞凌新推出的低饱满压降 IGBT 能提高功率，添加可靠性而且缩小体系的尺度。

  第一波问世的新L5 IGBT系列选用业界规范的TO-2473针封装技能。此外，为满足需要逐步增强功率的运用场合，英飞凌还供给 TO-247 4针开尔文-发射极封装版（Kelvin-Emitter package）的 L5 IGBT。与规范的 TO-247 3针封装版比较，TO-247 4针封装版的开关损耗减少了 20％。因而，L5与TO-247 4针封装的结合，不光发明了终极版低传导能耗和低开关损耗成果，还协助英飞凌稳固了在为高功率商场供给高度立异而且异乎寻常的产品方面的抢先地位。

  新式低饱满压降L5系列有30A和75A两种标准，一种是单IGBT方式，另一种则合装有英飞凌的超快Rapid 1和Rapid 2硅二极管。TO-247 4针开尔文-发射极封装版有75A标准。更多关于新L5系列IGBT的信息，请拜访 。

  英飞凌科技股份公司是全球抢先的半导体科技公司，致力于经过产品和体系计划为现代社会处理三大重要应战：高能效、移动性和安全性。2014 财年（截止 9 月 30 日），公司的出售额达 43 亿欧元，在全世界内拥有约 29,800 名职工。2015年1月，英飞凌收买美国世界整流器公司，该公司是电源办理技能职业的抢先供货商，年收入达 11 亿美元（2014 财年，该财年于 6 月 29 日完毕），约 4,200 名职工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国货台交易商场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。

  英飞凌科技股份公司于1995年慎重进入我国商场。自1996年在无锡树立第一家企业以来，英飞凌的事务获得十分敏捷的增加，在我国拥有约1700多名职工，渐渐的变成了英飞凌亚太甚至全球事务展开的重要推动力。英飞凌在我国树立了包括研制、出产、出售、商场、技能上的支撑等在内的完好的产业链，并在出售、研制技能、人才教育训练等方面与国内抢先的企业、高等院校展开了深化的协作。

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