2022年中國碳化硅襯底行業最新方针匯總一覽（圖）

  中商情報網訊：碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的中心资料，以其制造的器材具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、功率高的優勢，可大起伏下降產品功耗、进步能量轉換功率并減小產品體積。

  近年來從國家到地方相繼拟定了一系列產業方针來推動碳化硅襯底產業的發展。《中華公民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標綱要》提出会集電路設計东西、重點裝備和高純靶材等關鍵资料研發，会集電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（MEMS）等特征工藝打破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展。

  更多資料請參考中商產業研讨院發布的《中國碳化硅襯底行業市場远景及投資機會研讨報告》，同時中商產業研讨院還供给產業大數據、產業情報、產業研讨報告、產業規劃、園區規劃、十四五規劃、產業招商引資等服務。