功率进步200%6英寸碳化硅外延高速率成长工艺开发成功 育新机·开新局

  即日起，推出《育新机·开新局》专栏，聚集全系统开辟新的增长点，打造开展新动能方面涌现出的优异做法，凝集全系统攫取疫情防控和经济开展“双成功”的强壮动力。

  近来，由中国电科资料公司研发的高速率碳化硅外延样片完结各项参数测验，行将上线英寸碳化硅外延高速率成长工艺的使用，可将出产功率进步200%以上，大幅度下降出产所带来的本钱，为下一步碳化硅外延产品扩展市场占有率供给有力保证。

  碳化硅作为第三代半导体资料的典型代表，具有禁带宽度宽、击穿电场强度大、饱满电子搬迁速度快及热导率高级优势，是高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要范畴的中心资料。

  开展碳化硅技能是中国电科执行推动“新基建”的要害点。以本次外延成长速率大幅度提高为关键，资料公司将继续推动技能创新，继续提高产业化才能和水平，快速推动碳化硅事务整合和硅外延事务整合，与产业链上下游联合提高产品质量，为碳化硅资料的产业化开展作出更大奉献。