解析第三代半导体碳化硅（SiC）优势 2027年商场规模估计增至100亿美元 完成“碳
解析第三代半导体碳化硅（SiC）优势 2027年商场规模估计增至100亿美元
完成“碳中和”的大布景下，碳化硅是其间绕不开的上游中心资料，不管是光伏范畴仍是风力发电，仍是新能源轿车，仍是特高压，不能脱离这个第三代半导体中心资料 ”。
2019年我国碳化硅、氮化镓电力电子器材运用商场中，消费电源是榜首大运用，占比28%，工业及商业电源次之，占比26%，新能源轿车排第三，占比11%。未来跟着碳化硅产品的本钱下降，将会有更多运用场景，猜测2027年碳化硅器材的商场规模将从2020年的6亿美元添加至100亿美元。
与IGBT比较，运用SiC FET的优势已得到充分证明。较宽的4H-SiC带隙答应构成电压阻挡层，抱负情况下，其电阻要比相应的单极硅器材小100倍。SiC的导热系数也是硅的3倍。现在，可在650-1700V范围内以平面结构和沟槽结构供给功能逐渐的提高的SiC MOSFET，但任旧存在MOS沟道迁移率低的问题。还能够正常的运用依据SiC JFET的共源共栅FET，由于SiC JFET通道具有更高的全体迁移率，因而芯片尺寸更小。在本文的其余部分中，除非有必要进行区别，不然咱们将所有这些SiC晶体管都称为SiC FET。在这两者之间，由于它们在大多数情况下能够交换运用的。
在1200V及更高电压下，硅MOSFET代替了IGBT，IGBT在高负载电流下供给了更低的传导损耗，可是由于更低的传导损耗来自电导率调制，因而带来了开关损耗的丢失。IGBT一般与反并联敏捷康复PiN二极管一同运用，这也会形成开关损耗，由于只要铲除这些二极管中存储的电荷，才能使它们坚持截止状况电压。
· 依据猜测，碳化硅晶片在半导体范畴的出货量将从2020年的13万片仅占全球8.67%添加到2025年出货量80万片，2020-2025年复合添加率到达43.8%远高于全球27.2%的复合添加率，我国出货量占有率上升至16%。
· 碳化硅衬底、碳化硅功率器材2024年商场规模别离可达11亿、50亿美元，2018-2024年复合增速达44.47%、51.11%。
· 2020年全球新能源车销售量在新冠疫情影响出行的情况下完成了大幅度添加，显现碳化硅下流商场需求或将迎来迸发期。2020年全球新能源车销量达324万辆，同比添加43%，其间咱们国家新能源车销量高达133.48万辆，稳居全球榜首，占全球新能源车销量比重达41.2%。
未来新能源车销量有望继续添加，带来对功率半导体的需求量大幅扩张，而碳化硅功率器材具有耐高温、耐高压、损耗低、体积小、重量轻等多种优势，未来或将继续代替硅功率器材，到时不管碳化硅器材仍是衬底都将迎来继续的需求添加期。
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