欧宝体育app官方入口提供各种规格硅碳棒/热电偶保护管
全国咨询热线:

浅谈碳化硅器件对充电桩的的作用分析

来源:欧宝体育app官方入口    发布时间:2024-03-06 00:09:58 人气:1 次

  电动汽车发展正步入快速地增长阶段。2023年开年,行业研究机构伊维经济研究院发布数据称,2022年,全世界汽车销量达到1082.4万辆,同比增长61.6%。其中,全世界汽车销量的主要贡献来自中国。2022年,中国新能源汽车销量达到688.4万辆,在全球的比重增长至63.6%,而2021年这一数据仅为53.0%。

  展望未来,EVTank预计全球新能源汽车的销量在2025年和2030年将分别达到2542.2万辆和5212.0万辆,新能源汽车的渗透率将持续提升并在2030年超过50%。

  充电桩其功能类似于加油站里面的加油机,能够准确的通过不同的电压等级为各种各样不同型号的电动汽车充电,是我们国家新能源车目前最主流的补能方式。

  根据中国充电联盟披露数据,我国公共充电桩保有量已由2017年的21.39万台增长至2022年的179.7万台,加上随车充电桩,2022年我国充电桩保有量为520.9万台,预计2023年将增至958.4万台。另据中汽协数据,2022年我们国家新能源汽车保有量为1310万辆,预计2023年将达到2000万辆。

  按保有量分析,我国车桩比由2017年的4.7:1降至2022年的2.5:1;如果从汽车保有量与公共充电桩保有量看,车桩比更高,2017年为8.4:1,2022年为7.3:1。

  从上表分析可知,从保有量角度看,2020年前后由于国家标准新能源汽车补贴政策落地,导致该年度汽车销量仅小幅增长,而公共充电桩装机量大增,带动新能源汽车与公共充电桩车桩比降至6.1:1的最低值;

  不过从2021年开始,随着新能源汽车超预期增长,车桩比持续上升。而从新能源汽车增量与公共充电桩增量角度看,这一趋势表现得更明显,车桩比在2020年为4.7:1,2021年-2022年连续两年车桩比均超过10:1。

  中信证券测算认为,2022年我国公共充电桩市场规模约为168亿元,预计2025年将增长至461亿元,年复合增速达40%;总的市场规模也将从2022年的236亿元增至2025年的608亿元。

  众所周知,新能源汽车产业的发展,离不开完善的补能网络等基础设施,此前锂电行业分析师陈磊就表示,纯电动汽车的单车续航能力已达到甚至超过燃油车,但全国各地充电网络建设差距大,欠发达地区充电网络不完善,某些特定的程度上影响了新能源汽车的推广。

  为提升使用者真实的体验,不少新能源汽车企业选择了自建充电网络,如特斯拉,截至2022年底,已在全球投建超过4万个超级充电桩,国内建成数量也超过1万个;国内充电桩数量最多的是蔚来汽车,已建成超1.3万个。不过这远远满足不了整个市场的需求,春节期间蔚来充电桩服务订单中,有76%的电量服务于非蔚来品牌,也反映出公共充电桩建设的不足。

  在这一背景下,国家陆续出台了有关政策支持充电桩有关技术、模式和机制创新,在解决新能源充电桩发展问题的同时,构建新型电力系统,完善相关基础设施,助力“双碳”目标实现。

  就在日前,工业信息化部等八部门又联合印发了《关于组织并且开展公共领域车辆全面电动化先行区试点工作的通知》(下称《通知》),《通知》要求,在2023—2025年试点期内,新增公共充电桩(标准桩)与公共领域新能源汽车推广数量(标准车)比例力争达到1:1。

  而据行业统计,目前车桩保有量比仅为2.5:1,距离《通知》要求的1:1仍有巨大成长空间,因此《通知》发出后,充电桩市场受到了产业链企业的极大关注。与此同时,随着快充车型的持续增多,快速充电桩及其产业链的发展也已受到资本的重点关注,并有望带动SiC加快渗透发展。

  产业链在加快充电桩布局时,笔者留意到,时下市场更关注高压快充的进展情况。

  继2019年9月保时捷全球首发800V高压平台车型Taycan后,国内新能源汽车企业纷纷发布800V高压快充车型,如小鹏G9、极狐αS华为HI版、长城机沙龙甲龙、AION V Plus 70超级快充版、比亚迪海豚等,这几款车均于2022年集中交付或即将量产。800V快充将成未来市场主流;

  中信证券预测到2025年,高压快充车型将达518万辆,渗透率将由目前的略超10%提升至34%,成为高压快充市场增长的核心驱动力,上游企业有望直接受益。

  公开资料显示,充电模块是充电桩的核心零部件,约占充电桩总成本的50%;其中,半导体功率器件又占到充电模块成本的30%,即半导体功率模块约占充电桩成本15%,将成为充电桩市场发展过程中的主要受益链条。

  目前充电桩所采用的功率器件主要是IGBTMOSFET,两者均为Si基产品,而充电桩向直流快充的发展,对功率器件提出了更高的要求。为让汽车充电变得像加油站加油一样快,车厂正在积极寻求可提升效率的材料,目前碳化硅是其中的领跑者。碳化硅具有耐高温、耐高压、大功率等优点,可提高能量转换效率并减小产品体积。

  目前,大多数纯电动车都采用车载交流充电方案,必须花上好几个小时才能充满电。大功率化(比如30kW及以上)以实现电动车的快充也顺理成章成为充电桩的下一个重要布局方向。

  大功率充电桩,也会带来不小的挑战,如:要实现大功率高频转换开关操作,转换损耗所产生的热量。但SiC MOSFET 和二极管产品具有耐高压、耐高温、开关频率快的特性,可以很好地用于充电桩模块。与传统硅基器件相比,碳化硅模块能增加充电桩近30%的输出功率,并且减少损耗高达50%左右。同时,碳化硅器件还能够增强充电桩的稳定性。

  为布局充电桩等配套设施,我国曾发布《电动汽车充电基础设施发展指南(2015-2020年)》等一系列文件并提供了各种优惠政策,但对于充电桩而言,成本依然是制约发展的主要的因素之一,因此充电桩的功率密度就至关重要,而SiC器件是实现高功率密度的要害。碳化硅器件作为高压,高速,大电流器件,简化了直流桩充电模块电路结构,提高单元功率品级,功率密度明显提高,这为降低充电桩的系统成本降低铺平了门路。

  从远期成本和使用效能来看,应用SiC器件的大功率充电桩将迎来巨大的市场机会。据中信证券数据,目前,新能源汽车充电桩中碳化硅器件的渗透率仅为 10%左右,这也给大功率充电桩预留了广阔空间。伴随充电桩数量的快速地增长,相信在未来以更高功率密度为需求的充电桩模块中,SiC尤其是SiC MOSFET的应用会越来越多。

  声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉

  。尤其在高压工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大幅度的提升了高温稳定性,也大幅度提升电气设备的整体效率。产品可大范围的应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、

  (SiC)具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点,被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射

  Mos管代替上图中两个串联的MOS,三电平变换器简化成传统两电平全桥变换器,如下图。 同时,我们将开关频率设定到160KHz,减小了磁性

  ,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面,具体如下

  优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。二、

  MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。

  器方案可节省15%成本加快上市等于减少了时间成本半导体厂商通常都通过参考设计为其

  材料的临界雪崩击穿电场强度较高,能制作出超过1000V的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si

  芯片研发和封装方面探讨可靠性问题。芯片研发环节的可靠性测试衡量可靠性可以从

  是宽禁带半导体材料的一种,主要特征是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,

  (SiC)陶瓷材料自身优异的半导体性能,在各个现代工业领域发挥重要革新

  大量采用持续稳定的线路板;在引擎室中,由于高温环境和LED 灯源的散热要求,现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用上的要求,需要散热性能更好

  的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无

  和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案,可与 MOSFET 媲美。较之常规的

  MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95

  的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷大范围的使用在各类应用,如汽车制动器和离合器,以及嵌入防弹背心的陶瓷板。

  也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元

  ,热导率是硅材料的3倍,电子饱和漂移速率是硅的2倍,临界击穿场强更是硅的10倍。材料特性对比如图(1)所示。图(1) 4H型

  。基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装

  MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际领先水平,可大范围的应用于新能源

  技术才真正意义上得到了迅速发展。SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽

  MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表:

  通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带

  作为最典型的宽禁带半导体材料,近年来被愈来愈普遍地用于高频高温的工作场合。为了更好的提高永磁同步电机伺服控制管理系统的性能

  设计,不管是车身上的动力总成(Powertrain)系统,还是固定安装在路边或车库里的

  组件的进度都非常快。对车载应用而言,设备的大小跟重量最重要。若车上的逆变器(Inverter)、

  模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、

  等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术,2017年推出基于6

  在功率模块中的性能,特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立

  新技术:1 车载电源OBC与最新发展2 双向OBC关键技术3 11kW全SiC双向OBC电路4 OBC与车载DC/DC集成二合一5 车载DC/DC转换电源电路比较6

  在正半周期(VAC大于0)的时候,T2为主开关管。当T2开通时,电感L储能,电流

  ,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙(WBG)技术

  二极管:C5D50065D;单端反激Flyback辅助电源的MOSFET:C2M1000170D方案能大范围的应用于新能源电动汽车

  MOSFET芯片的半桥功率模块系列新产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

  和展望所面临的挑战和机遇。1、低杂散电感封装技术目前已有的大部分商用 SiC

  解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝

  做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎各位有问题及时交流,谢谢各位!

  ,其高频、高效、高温的特性很适合对效率或温度要求严苛的应用。可大范围的应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、

  上面没有做任何掩膜,就为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  近年来越来越大范围的应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出,市场反应

  :英飞凌以1.39亿美元收购初创企业Siltectra,获得后者创新技术ColdSpilt以用于

  ,为业界熟知,并得到普遍应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动

  ,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色

  的电阻率随温度的变化而改变,但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。

  ,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色

  的应用已经很非常多了。 在经典的储能系统中包含了电源、DC/DC转换器、电池

  材料的特性,如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等,来提高电机的效率、耐久性和可靠性,以此来降低电机的成本。

  芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,能轻松实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于电动车的逆变器、

  具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。 在众多半导体

  二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,大范围的使用在高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。

  是一种非金属陶瓷材料,具有高温、耐腐蚀、抗氧化、耐热性好等优良性能。它由碳素和硅素两种元素组成,

  和应用》代理产品线、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera

  半导体包括的类型相对较多,常见的主要有二极管、金属氧化物、半导体场效应、晶体管、晶闸管、结算场、效应晶体管等等这些不同类型的

  ,单元结构和漂移区参杂以及厚度之间有较为显著的差异。那么下文主要是针对不同类型的

  ,具有高温、高频、高效等优点,被大范围的应用于电力电子、新能源等领域。下面介绍一些

  作为一种新型的半导体材料,在电力电子领域的应用愈来愈普遍。与传统的硅功率

  作为一种先进的电力电子设备,已经大范围的应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍

  具有许多优势,大多数表现在以下几个方面:材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管

  外延片后进一步加工制作而成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,大多数都用在电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、

  在未来具有很大的发展的潜在能力,将在多个领域展现出显著的优势。本文将介绍未来

  (SiC)是一种优良的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点,因此在高温、高频、大功率应用领域具有非常明显优势。